домашняя | Crystal Tech

Искусственные кристаллы
О хрустальных технологиях. Компания
Метод Багдасарова заключается в следующем: кристаллизующийся материал (в виде порошка, кристаллических трещин или керамики), помещенный в лодкообразный тигель, плавится путем перемещения тигля через зону нагрева, а затем кристаллизуется. Для получения строго ориентированного монокристалла монокристаллический затравочный элемент монтируется на верхней части тигля.
Горизонтально направленная кристаллизация

Метод Багдасарова заключается в следующем: кристаллизующийся материал (в виде порошка, кристаллических трещин или керамики), помещенный в лодкообразный тигель, расплавляется при перемещении тигля через зону нагрева, а затем кристаллизуется. Для получения строго ориентированного монокристалла монокристаллический затравочный элемент монтируется на верхней части тигля (лодки), и визуально наблюдаются как момент высева, так и форма фронта роста. Как и в этом методе, высота расплава намного меньше его поверхности.

Появляются условия эффективного удаления примесей за счет испарения. Это же условие способствует снижению интенсивности конвективных течений, что влияет на уровень стабильности процесса кристаллизации. Кроме того, открытая поверхность расплава дает возможность вставить активирующую примесь на любой стадии кристаллизации. Вышеуказанные преимущества указывают на существенное отличие этого метода от, по словам Бриджмена.

Метод Багдасарова, схематично представленный на фиг.1, состоит в следующем: кристаллизующийся материал (в виде порошка, кристаллических трещин или керамики), помещенный в лодкообразный тигель, расплавляется путем перемещения тигля через зону нагрева, и затем кристаллизовался. Для получения строго ориентированного монокристалла монокристаллический затравочный элемент монтируется сверху.

Горизонтально направленная кристаллизация

Метод Багдасарова заключается в следующем: кристаллизующийся материал (в виде порошка, кристаллических трещин или керамики), помещенный в лодкообразный тигель, плавится путем перемещения тигля через зону нагрева, а затем кристаллизуется. Для получения строго ориентированного монокристалла монокристаллический затравочный элемент монтируется на верхней части тигля (лодки), и визуально наблюдаются как момент высева, так и форма фронта роста. Как и в этом методе, высота расплава намного меньше его поверхности.

технический
Метод Багдасарова, схематично представленный на фиг.1, заключается в следующем: кристаллизующийся материал (в виде порошка, кристаллических трещин или керамики), помещенный в лодкообразный тигель, плавится путем.
Электронный
Метод Багдасарова, схематично представленный на фиг.1, заключается в следующем: кристаллизующийся материал (в виде порошка, кристаллических трещин или керамики), помещенный в лодкообразный тигель, плавится путем. Состоит в следующем: кристаллизующийся материал (в виде порошка, кристаллических трещин или керамики), помещенный в тигель, подобный лодке, расплавляется.
Другие виды кристаллов
Метод Багдасарова, схематично представленный на фиг.1, заключается в следующем: кристаллизующийся материал (в виде порошка, кристаллических трещин или керамики), помещенный в лодкообразный тигель, плавится путем. Состоит в следующем: кристаллизующийся материал (в виде порошка, кристаллических трещин или керамики), помещенный в тигель, подобный лодке, расплавляется.